凌力尔特公司推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1

时间:2007-11-29
  凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4442/-1,该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多 DC/DC 控制器组合使用时,可组成完整的高效率同步稳压器,该稳压器可用作降压或升压型 DC/DC 转换器。 

   这个强大的驱动器可以吸收高达 5A 电流和提供高达 2.4A 电流,非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4442/-1 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动 3000pF 负载时,12ns 快速上升时间以及高端 MOSFET 的 8ns 下降时间和低端 MOSFET 的 5ns 下降时间限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端MOSFET同时导通,从而限度地减少了死区时间。

  LTC4442/-1 具有一个用于电源级关断的三态 PWM 输入,它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外,该器件有一个单独的电源,用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配,并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在 6.2V 至 9.5V 的范围内驱动高端和低端 MOSFET 栅极,并在电源电压高达 38V 时工作。LTC4442-1 版本有较高的 6.2V VCC 欠压闭锁,而不是 3.2V,用来驱动标准 5V 逻辑 N 沟道 MOSFET。

       LTC4442/-1 采用耐热增强型 MSOP-8 封装,在 -40oC 至 85oC 的温度范围内工作,以 1,000 片为单位批量购买,每片价格为 1.25 美元。 

  
      性能概要:LTC4442/-1

  ·同步 N 沟道 MOSFET 驱动器 
      ·高驱动电流:提供 2.4A,吸收 5A 
      ·自适应零贯通保护 
      ·高端 MOSFET 栅极:驱动 3000pF 负载时,上升时间为 12ns,下降时间为 8ns 
      ·低端 MOSFET 栅极:驱动 3000pF 负载时,上升时间为       12ns,下降时间为 5ns 
      ·3 态 PWM 输入用于功率级关断 
      ·38V 电源电压 
      ·6.2V 至 9.5V 栅极驱动电压 
      ·LTC4442 的 UVLO 为 3.2V 
      ·LTC4442-1 的 UVLO 为 6.2V 



  
上一篇:美信推出一款单通道、单色随屏显示(OSD)发生器MAX7456
下一篇:Linear新推线性电源管理器 具13V过压保护

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

相关技术资料