瑞萨科技布，开发出一种具有45 nm（纳米）及以上工艺的
微处理器和SoC（系统级
芯片）器件、低成本制造能力的超高性能
晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构（在2006年12月以前发布的一种先进技术）改善了CMIS（注1）晶体管的性能。瑞萨已经在2007年6月12日于日本京都举行的2007年超大规模
集成电路技术专题研讨会（2007 Symposium on VLSI Technology）上阐述了这一新的、增强的混合结构，并演示了测试数据。
像以前的技术一样，新的半导体制造技术有一个采用氮化钛（TiN）金属栅极的P型晶体管，以及一个采用传统多晶硅栅极的N型晶体管。不过，新的P型晶体管采用两层栅极结构，而不是单层栅极，以更有效地控制门限电压（注2）。而且，新型混合结构利用应变硅制造技术来提升驱动电流能力。与以前的瑞萨混合结构相比，这些创新产品的性能大约提高了20%。重要的是，新型结构可以实现低成本制造，因为它不需要对目前的制造工艺进行重大改变。
一个包含40 nm栅极长度晶体管的实验芯片已经制造完成。对这个芯片的测试数据证实了其水平的驱动性能：在1.2 V
电源电压条件下，N型晶体管为1,068μA/μm，P型晶体管为555μA/μm。
