NXP新款BFU725F微波NPN晶体管采用SiGeC工艺

　　恩智浦半导体(NXP Semiconductors)(由飞利浦创建的独立半导体公司)日前发布了BFU725F微波NPN晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的款产品。BFU725F具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点，使其成为各种RF应用的理想解决方案。超低噪声可以改善各种无线设备(例如GPS系统、DECT电话、卫星无线电设备、WLAN/CDMA应用)中灵敏的RF接收器的接收效果，而超高断开频率则可以很好地满足运行频率在10 GHz到30 GHz以内的各种应用(例如卫星低噪音电路块)的需求。

　　为解决当今设备的性能需求和生产商考虑的成本问题，BFU725F晶体管在开发时使用了恩智浦用于分立器件的硅锗碳(SiGeC)工艺技术，该工艺还用于开发单片IC和宽带晶体管。

　　CalAmp公司工程卫星产品总监Bruce Bruchan先生表示，“我们选择了恩智浦的SiGeC BiCMOS技术，因为终结果表明极具成本效益的硅基分立器件既能提供杰出的功率增益，又具备优良的动态范围。恩智浦不断开发利用SiGeC BiCMOS技术制造的产品，并通过持续创新应对快速变化的微波和无线市场日益增长的市场需求，展示了该公司对客户的承诺。”

　　除已经上市的解决方案外，包括TFF1004HN（用于卫星低噪音电路块的高度集成IC）和BFU725F微波晶体管，恩智浦正在开发其他几种硅基宽带晶体管和MMIC（单片微波IC），预计将于今年年底和2008年年初面世。

　　恩智浦创新经理Bart Smolders教授表示，“QUBiC4X旨在满足实际高频应用，巧妙结合了超高的功率增益和优良的动态范围。我们的主张是要创造一种采用硅基工艺且具砷化镓（GaAs）性能的技术，这样我们就可以提供具有成本效益的集成高频解决方案。”

　　BFU725F符合RoHs标准，可达到极低的噪音（1.8GHz时0.43dB / 5.8GHz时0.7dB）和很高的稳定增益（1.8GHz时27dB / 18GHz时10dB）。独有特点包括高达fT 70 GHz的开关频率并封装在SOT343F塑料表面贴装封装包中。

　　恩智浦的BFU725F微波晶体管现已大批量上市。