Avago Technologies(安华高科技)日前宣布推出系列采用5mm(T-1 3/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR)
LED发射器。这些新型红外线发射器采用高功率铝镓砷化物(AlGaAs)LED技术，具有良好高发光强度、高速率和低正向电压等特性。新产品使用铁质
导线架，在多种电流环境下可高效散热。
HSDL-42xx系列红外线发射器适用于消费
电子、工业和通信等对更长的红外线
收发器连接距离和更高速的数据传输技术有特定需求的领域，主要应用范围包括门禁控制、便携式仪器、红外线光学鼠标、
烟雾探测器、红外线局域网(IR LAN)收发器和音频信号连接等。870nm波长的产品通常应用于红外线通信领域，而940nm的则主要应用于遥控领域。
据介绍，HSDL-4250和HSDL-4251的峰值为870nm，在20mA电流下的正向电压仅为1.4V，光学反应升降的时间为40ns。在100mA正向电流时，HSDL-4250的轴线发光强度为180 mW/sr，可视角为15度；而HSDL-4251的可视角为30度，100mA正向电流时，其发光强度为100 mW/sr。
HSDL-4260的峰值为875nm，在100mA电流条件下的标准轴线发光强度为200 mW/sr，可视角为15度，光学反应升降的时间为15ns，在20mA下的正向电压为1.4V。HSDL-4270和HSDL-4271的峰值为940nm，在20mA电流下的正向电压为1.3V，光学反应升降的时间为1.3微秒。HSDL-4270的轴线发光强度为100 mW/sr，可视角为15度；而HSDL-4271则提供30度可视角和50mW/sr的发光强度。
Avago Technologies中国及香港地区总经理李艇先生表示：“目前，制造商们青睐高功率、低正向电压和高速率的红外线发射器，以满足各个应用领域对连接距离和数据传输速率不断增长的需求。”
