瑞萨硅锗功率晶体管RQG2003可降低5GHz无线LAN终端功耗

时间：2007-11-21

　　瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。
　　作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQG2003是一种用于功率放大器的晶体管，它可以对传输无线LAN终端设备等RF前端功率进行放大。
瑞萨硅锗功率晶体管RQG2003可降低5GHz无线LAN终端功耗

　　RQG2003的功能总结如下：
　　业界的性能水平，有助于实现低功耗产品
　　在5GHz和2.4GHz频段，RQG2003的性能达到了业界的水平，如下所述。
　　(a)5GHz频段：6.4dB的功率增益，26.5dBm条件下的1dB增益压缩功率，5.8GHz条件下的功率增加效率为33.6%。
　　(b)2.4GHz频段：13.0dB的功率增益，26.5dBm条件下1dB的增益压缩功率，2.4GHz条件下的功率增加效率为66.0%。
　　这些性能参数是对瑞萨科技目前的HSG2002的显著改善，例如，5.8GHz条件下的功率增加效率大约提高了10%，2.4GHz的功率增加效率大约提高了20%。
　　该性能有助于降低IEEE802.11a兼容的无线LAN设备、数字无绳电话等5GHz频段设备的功耗，也可以降低使用2.4GHz频段的IEEE802.11b/g兼容的无线LAN设备、RF标签读/写机及其他2.4GHz频段应用的功耗。
　　小而薄的无铅封装
　　该器件采用小型表面贴装8引脚WQFN0202(瑞萨封装代码)封装，尺寸为2.0mm×2.0mm×0.8毫米。这种小而薄的无铅封装有助于缩小RF前端传输部分的设计空间。
　　典型应用：

　　无线LAN终端：2.4GHz/5GHz频段(符合IEEE802.11a/b/g标准)
　　RF标签读/写机：2.4GHz
　　数字无绳电话：2.4GHz/5.8GHz。
　　RQG2003样品将于从2007年3月在日本开始供货，单价为105日元(仅供参考)。
　　产品背景>

　　无线设备的持续增长正在使“无处不在的计算”开始成为现实。使用2.4GHz频段的通信系统，尤其是IEEE802.11指定的5GHz频段的应用类型正在不断增加，无线LAN就是一个例子。除了利用移动电话的因特网接入和家庭视听设备之间的传输，被认为是2.4GHz频段的扩展应用领域还包括移动电话的无线LAN能力和物理分布系统的RF标签，而且，人们预期未来这个市场将出现迅速的增长。
　　同时，北美的数字无绳电话市场需要更低的价格和对更高频率的支持。这个成熟的市场对低价位产品有一种迫切的需求，例如，在型号方面就有对低发射功率的需求趋势，这就需要用一个晶体管来取代功率放大器的模块或MMIC。与此同时，主要使用的频段正在从900MHz或2.4GHz频段转变为5.8GHz频段，这就带来了对可以提供高输出、高增益和高效率的5.8GHz频段产品的需求。因此，随着产品价格的不断下降，在性能和价格之间可以形成一种平衡的元件将越来越重要。
　　瑞萨科技早就瞄准了这个市场，开发了和批量生产了HSG系列硅锗功率晶体管和HA系列硅锗MMIC。现在，为了满足市场的需求，瑞萨科技又发布了支持2.4GHz频段和5GHz频段的RQG2003高性能硅锗功率晶体管。
　　其他产品细节

　　RQG2003：RQG2003是瑞萨科技个采用该公司独特的双沟道结构的产品，其中的沟道隔离和导电沟道是在一个单晶体管区形成的。使晶体管与带有沟道绝缘层的硅衬底隔离，以减少造成高频特性降低的寄生电容(衬底和晶体管之间)。此外，形成的导电沟道可以利用通孔与电极和衬底进行连接，从而减少了由连线压焊引起的电感。
　　利用这种双沟道结构可以实现2.4GHz和5GHz频段功率增益和功率增加效率的显著改善。该器件采用了一种SiGeC工艺，其中的硅锗基极掺杂了碳，同时实现了晶体管图形的优化。与瑞萨科技目前的HSG2002相比，集电极电流密度有所增加，1dB增益压缩功率大约改善了1.5dBm。
　　完全无铅封装：为了保证芯片压焊的可靠性和电导性，RQG2003采用了一种理想的导电银浆，同时采用了Sn-Bi(锡铋)来进行电极电镀，完全实现了无铅化。
　　瑞萨科技计划进一步扩展RQG系列硅锗功率晶体管的LNA(低噪声放大器)RQG1xxx和PA(功率放大器)RQG2xxx阵容，并继续开发RQL系列硅锗MMIC的LNA RQL1xxx和PA RQL2xxx产品，以满足不断发展的市场对丰富产品的需求。

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