IRS200x系列半桥、高侧和低侧驱动IC系列是为低压 (24V 、36V 和48V ) 及中压 (60V 、80V 和100V ) 电机驱动应用而设计的,包括三相变频器和半桥。该系列具备欠压闭锁 (UVLO) 保护标准功能,同时IRS2003和IRS2004 也具备死区时间保护功能。此外,IRS2004还具备停机输入接脚。这些新的200V IC可提供低静态电流,以实现高侧电路低成本的自举电源,省去了基于分立式光耦合器或变压器的设计所需的大而昂贵的辅助电源,使之可适用于小占位的低压应用。
IR 亚太区销售副总裁曾海邦表示:“为满足较低压应用需求,IR在600V 和1200V HVIC系列之外增添了这些坚固的新型200V 组件。结合我们独立的高侧和低侧驱动IC及DirectFET MOSFET,这种具成本效益的系统解决方案可以为占位紧凑的应用提供高功率密度和低散热量,以面对三相低压电机驱动设计的挑战。”
IRS200x器件采用8接脚SOIC和DIP封装,栅极电压 (Vout) 可达20V ,典型导通电流 (Io+) 为290 mA,典型关断电流 (Io-) 为600 mA,,可耐受3.3V 、5V 和15V 的输入逻辑电平。新的200V 器件采用IR的先进高压IC工艺,融入了新一代高压电平转换和IC端接技术,可提供卓越的电气过应力保护和更高的现场可靠性。
产品的基本规格如下:
组件编号 | 封装 | UVLO | 规范 | 典型电流 | 输入逻辑 | 其他功能 |
IRS2001PBF | DIP8 | UVLO
VCC |
RoHS及
PBF |
290 mA/ 600mA, 60V | HIN, LIN | 独立高及低侧驱动 |
IRS2001SPBF | SOIC8 散装 | UVLO
VCC |
RoHS及
PBF |
290 mA/ 600mA, 60V | HIN, LIN | 独立高及低侧驱动 |
IRS2001STRPBF | SOIC8 卷带 | UVLO
VCC |
RoHS及
PBF |
290 mA/ 600mA, 60V | HIN, LIN | 独立高及低侧驱动 |
IRS2003PBF | DIP8 | UVLO
VCC |
RoHS及
PBF |
290 mA/ 600mA, 60V | HIN, LIN/N | 死区时间 |
IRS2003SPBF | SOIC8
散装 |
UVLO
VCC |
RoHS及
PBF |
290 mA/ 600mA, 60V | HIN, LIN/N | 死区时间 |
IRS2003STRPBF | SOIC8卷带 | UVLO
VCC |
RoHS及
PBF |
290 mA/ 600mA, 60V | HIN, LIN/N | 死区时间 |
IRS2004PBF | DIP8 | UVLO
VCC |
RoHS及
PBF |
290 mA/ 600mA, 60V | IN, SD/N | SD输入及死区时间 |
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