Vishay推出新系列 P 沟道 MOSFET，这些器件建立了每单位面积导通电阻的新记录。
基于新一代 TrenchFET 芯片技术的新型 Vishay Siliconix 器件采用 PowerPAK SC-70 封装（2.05 mm×2.05 mm）时导通电阻额定值为 29 毫欧，采用标准 SC-70 封装（2.0 mm×2.1 mm）时为 80 毫欧，采用 SC-89 封装（1.6 mm×1.6 mm）时为 130 毫欧。
与市场上仅次之的 MOSFET 相比，这些新型 Vishay Siliconix 器件的规格表现了高达 63% 的改进。
这些新型 P 沟道 TrenchFET 将用于手机、MP3 播放器、PDA 及数码相机等便携式终端产品中的负载
开关、PA 开关及
电池开关，在这些应用中，它们的低传导损失将有助于延长电池的运行时间，它们的微型封装将节省宝贵的板面空间，从而实现更多功能。
在便携式
电子系统中，通过在显示器或
功率放大器等功能不用时关闭它们，或将系统从活动模式切换到睡眠模式，P 沟道 MOSFET 执行基本功能，从而节省电池使用时间。执行这些切换任务时，这些新型 Vishay Siliconix 器件的功耗低于市场上的先前任何 P 沟道功率 MOSFET，因为它们超低的导通电阻额定值会直接体现成更低的导电损失。
日前推出的 P 沟道 TrenchFET 包括具有 -12V、-20V 及 -30V 击穿电压额定值的单通道器件。这些器件采用 6 引脚 SC-89、标准 SC-70 及 PowerPAK? SC-70 封装，所有封装均无铅 (Pb)，符合当今的环保要求。
器件规格表
*将后缀 T1-E3 添加到订单
目前，这些新型 P 沟道 TrenchFET 功率 MOSFET 的样品和量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为 12～14 周。
详情请访问：https://www.vishay.com
