JSM6288是一款高压、高速功率MOSFET 高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。
具有独立的高侧和低侧参考输出通道。JSM6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。
JSM6288的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道工作电压可高达250V。
JSM6288Q为QFN24封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

应用范围：电机控制、空调/洗衣机、通用逆变器、微型逆变器驱动

性能参数介绍：
自举工作的浮地通道
工作电压可高达+250V
兼容 3.3/5V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达±50V/ns Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压范围8V至20V
高、低侧欠压锁定电路
-- 高侧欠压锁定正向阈值7.1V 
--高侧欠压锁定负向阈值6.9V
-- 低侧欠压锁定正向阈值7V
-- 低侧欠压锁定负向阈值6.6V
防直通死区逻辑
--死区时间设定200ns
芯片传输延时特性
--开通/关断传输延时Ton/Toff=150ns/120ns
 -- 延迟匹配时间小于50ns
宽温度范围-40~125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.5A/1.8A
符合 RoSH标准
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