晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随隅器）。
型号：
标准包装 
|
2,500 |
|---|---|
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 系列 | SuperMESH5™ |
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 4.5A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On， Rds On） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） | 5V @ 100μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） | 7.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） | 255pF @ 100V |
| Vgs（值） | 30V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（值） | 85W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） | 1.6 欧姆 @ 2A，10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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