2000年，东芝半导体的销售额继INTEL之后，位居世界第二位。笔记本电脑的市场占有率连续7年保持。至2000年底，IT产值在东芝总产值中所占的比例已经达到了74%。
型号：
厂商：
Toshiba
一般信息
规格
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FET 类型
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N 沟道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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100V
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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22A（Tc）
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驱动电压（ Rds On， Rds On）
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10V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
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4V @ 300μA
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
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28nC @ 10V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
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1800pF @ 50V
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Vgs（值）
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±20V
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FET 功能
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-
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功率耗散（值）
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30W（Tc）
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
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13.8 毫欧 @ 11A，10V
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工作温度
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150°C（TJ）
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安装类型
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通孔
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供应商器件封装
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TO-220SIS
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封装/外壳
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TO-220-3 全封装，隔离接片
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