制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 120 V

Id-连续漏极电流: 179 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V to 4 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 130 nC

配置: Single

Pd-功率耗散: 255 W

通道模式: Enhancement

高度: 15.1 mm  

长度: 10.16 mm  

系列: TK72E12N1  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.45 mm  

商标: Toshiba  

下降时间: 37 ns  

上升时间: 33 ns  

工厂包装数量: 50  

典型关闭延迟时间: 120 ns  

典型接通延迟时间: 64 ns  

单位重量: 6 g