IGBT 晶体管 Infineon IHW30N120R2

发布时间:2018/3/24 21:31:10

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS:  详细信息  

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极电压 VCEO: 1.2 kV

集电极—射极饱和电压: 2 V

栅极/发射极电压: +/- 20 V

在25 C的连续集电极电流: 30 A

Pd-功率耗散: 390 W

工作温度: - 40 C

工作温度: + 150 C

系列: IHW30N120

封装: Tube

集电极连续电流 Ic: 30 A  

高度: 20.95 mm  

长度: 15.9 mm  

宽度: 5.3 mm  

商标: Infineon Technologies  

工厂包装数量: 240  

零件号别名: IHW30N120R2FKSA1 SP000212017  

单位重量: 38 g


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