0755-82545498 QQ:531398920 朱先生
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.7A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
92 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
2.5V @ 25μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
290pF @ 25V
功率 - 值
1.25W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23
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