0755-82545498 QQ:531398920 朱先生
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
48 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
8.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
475pF @ 10V
功率 - 值
1W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-96
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