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数据列表SI7431DP

标准包装  3,000

包装    标准卷带

 零件状态   在售

类别   分立半导体产品

产品族   晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.2A（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）6V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）174 毫欧 3.8A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V   250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）135nC 10VVgs（值）±20VFET 功能-功率耗散（值）1.9W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装PowerPAK® SO-8封装/外壳PowerPAK® SO-8