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数据列表STF,I,P,U,W13NM60N;

标准包装  50

包装     管件 

零件状态   在售

类别   分立半导体产品

产品族   晶体管 - FET，MOSFET - 单系列MDmesh™ II

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）360 毫欧    5.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V   250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）30nC   10VVgs（值）±25V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）790pF   50VFET 功能-功率耗散（值）25W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220FP封装/外壳TO-220-3 整包