IGBT,绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor ),它是由BJT (双极结型晶体管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组合而成的全控型、电压驱动型半导体器件。BJT (Bipolar Junction Transistor)双极结型晶体管主要特征是：耐压高、电流大、开关特性好；MOSFET绝缘栅型场效应管主要特征是：驱动电路简单，所需要的驱动功率小；开关速度快、工作频率高。

IGBT被广泛用于电动汽车、新能源装备、智能电网、轨道交通、和航空航天等领域，IGBT是能源变换和传输的主要器件，俗称电力电子装置的CPU,是目前先进、应用广泛的第三代半导体器件，作为国家战略新兴产业，IGBT在涉及国家经济安全、国防安全等领域占据重要地位。