晶体管,英飞凌IGBT芯片能达到电压650V 1200V 电流40A 50A 75A 100A 120A 140A 150A

发布时间:2024/8/14 16:42:20

IGBT是一种重要的功率半导体器件,全称为Insulated Gate Bipolar Transistor,中文全名为绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的功率半导体器件,集合了二者的优点,具有高电压承受能力和低开关损耗的特点。IGBT芯片在电力电子领域有着广泛的应用,成为现代电力控制系统中不可或缺的关键元件。


IGBT芯片的结构由NPN型双极晶体管和PNP型双极晶体管组成,中间通过绝缘栅层隔离。这种结构使得IGBT既具备了MOSFET的高输入阻抗和低驱动功率的优势,又拥有BJT的高电流承受能力和低导通压降的特点。IGBT芯片的控制端由绝缘栅极组成,可以通过控制栅极电压来控制IGBT的导通和截止。这种特性使得IGBT芯片在高压大电流的应用中具有重要的地位。



上一篇:功率半导体器件之 IGBT晶体管
下一篇:YXYBDT晶体管MMBT5551Z 发射极与基极高耐压 封装SOT-23