制造商: Infineon

产品种类: 射频(RF)双极晶体管

RoHS:  详细信息  

晶体管类型: Bipolar Wideband

技术: Si

晶体管极性: NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min: 70

集电极—发射极电压 VCEO: 12 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 2 V

集电极连续电流: 150 mA

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-343-4

封装: Cut Tape

封装: Reel

工作频率: 7.5 GHz  

输出功率: -  

商标: Infineon Technologies  

直流电集电极电流: 150 mA  

Pd-功率耗散: 700 mW  

产品类型: RF Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

零件号别名: 196 BFP H6327 SP001643166 WN  

单位重量: 6.740 mg