供应:MRF1K50H-TF1

发布时间:2018/6/15 16:14:39

制造商: NXP

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  详细信息  

晶体管极性: Dual N-Channel

Id-连续漏极电流: 36 A

Vds-漏源极击穿电压: 135 V

技术: Si

增益: 23.7 dB

输出功率: 1500 W

工作温度: - 40 C

工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: NI-1230H-4S

资格: AEC-Q100

工作频率: 1.8 MHz to 500 MHz  

系列: MRF1K50H  

类型: RF Power MOSFET  

商标: NXP / Freescale  

正向跨导 - 值: 33.5 S  

通道数量: 2 Channel  

Pd-功率耗散: 1667 W  

产品类型: RF MOSFET Transistors  

工厂包装数量: 1  

子类别: MOSFETs  

Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V


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