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制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
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RoHS: N 
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: SOT-223-4 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 240 V 
Id-连续漏极电流: 350 mA 
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 Ohms 
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V 
工作温度: - 55 C 
工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 1.8 W 
通道模式: Enhancement 
封装: Reel 
封装: Cut Tape 
商标: Infineon Technologies 
配置: Single 
下降时间: 18.4 ns 
正向跨导 - 值: 0.36 S / 0.18 S 
高度: 1.6 mm 
长度: 6.5 mm 
产品: MOSFET Small Signals 
产品类型: MOSFETs 
上升时间: 3.5 ns 
1000 
子类别: Transistors 
晶体管类型: 1 N-Channel 
类型: SIPMOS Small Signal Transistor 
典型关闭延迟时间: 15.9 ns 
典型接通延迟时间: 4 ns 
宽度: 3.5 mm 

单位重量: 112 mg