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制造商: Infineon 
产品种类: GaN 场效应晶体管 
发货限制： 
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RoHS:   
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: SOT-223-4 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 240 V 
Id-连续漏极电流: 350 mA 
Rds On-漏源导通电阻: 6 Ohms 
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V 
工作温度: - 55 C 
工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 1.8 W 
通道模式: Enhancement 
商标: Infineon Technologies 
配置: Single 
下降时间: 3.5 ns 
封装: Reel 
封装: Cut Tape 
产品: MOSFET Small Signals 
产品类型: GaN FETs 
上升时间: 3.5 ns 
系列: BSP88 
1000 
子类别: Transistors 
技术: GaN 
典型关闭延迟时间: 17.9 ns 
典型接通延迟时间: 3.6 ns 
零件号别名: SP000089217 BSP88L6327HTSA1 

单位重量: 112 mg