据外媒报导，铠侠和西部数据计划2023年VLSI技术和电路研讨会上，展示3D NAND技术创新。报导称，两家公司的工程师正在寻求实现8-Plane的3D NAND，以及超过300层的3D NAND。来自铠侠的论文(C2-1)，介绍了一种8-Plane的1Tb 3D TLC NAND，拥有210层的堆叠数和3.2GT/s的I/O传速，与铠侠/西部数据推出的218层1Tb 3D TLC NAND非常相似，具备17Gb/mm2密度和3.2GT/s I/O总线，但它是8-Plane而不是4-Plane，并且据说可提供205MB/s的Program Throughput以及40μs的读取延迟，这明显优于铠侠128层3D NAND的56μs延迟。