铠侠和西部数据除了研究8-Plane的3DNAND结构外，研究人员还将提交关于300层3DNAND的论文(T7-1)，Highly Scalable Metal Induced Lateral Crystal lization(MILC) Techniques for Vertical silicon Channel in Ultra-High(300Layers)3D Flash Memory。

文中表示，为实现这一目标，两家公司计划采用金属诱导横向结晶(MILC)技术。通过MILC技术，在超过300层的垂直存储孔中，形成14微米长的类通心粉硅通道。

据报道，这种实验性3D NAND还利用cutting-edge 的吸镍方法消除硅材料中的杂质和缺陷，从而提高单元阵列性能。