从技术演进上，去年各大原厂均推出了200层以上堆叠的NAND Flash产品，DRAM技术也在快速发展，并在2022年进入到1β制程工艺或者说1b制程的生产。

展望未来技术发展，NAND Flash厂商相继探索存储阵列堆叠在CMOS上方的结构，这种结构不仅使得单片wafer上生产的die数量增多，也更加富有想象空间。DRAM技术上，未来EUV技术升级到High-NA，半导体光刻技术之路走到尽头，未来DRAM技术的演进或将放缓。但除了依靠成本高昂的EUV光刻机，业界还在尝试通过3D DRAM、先进封装技术等诸多方法来尝试突破DRAM技术瓶颈。