SK海力展示第八代300层3D闪存原型

发布时间:2023/3/27 17:47:40

近日,在第70届IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,韩国存储器大厂SK海力士展示了更新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市,有望打破纪录。


外媒报导,SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash开发,提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2单位容量、16KB单页容量、四个平面和2,400MT/s的介面。(max)资料传输量达194MB/s,较上一代238层堆叠和164MB/s传输速率的第七代3D NAND Flash高18%。更快输入和输出速度,有助PCIe 5.0×4或更高介面利用率。


SK海力士研发团队称,第八代3D NAND Flash采用5项新技术。


首先,三重验证程式(TPGM)功能可缩小单元阈值电压分布,并将tPROG(编程时间)减少10%,转化成更高性能。


其次,采用Adaptive Unselected String Pre-Charge(AUSP)技术,再将tPROG降低约2%。


第三,APR方案可将读取时间降低约2%,并缩短字线上升时间。


第四,编程虚拟串(PDS)技术可藉由降低通道电容负载缩短tPROG和tR的界线稳定时间。


第五,平面级读取重试(PLRR)功能,允许不终止其他平面下,更改平面的读取等级,立即发出后续读取命令,提高服务质量(QoS),提高读取性能。


由于新产品还在开发,SK海力士尚未透露量产时间。尽管如此,有分析师仍预估As early as in 2024 have change, the most late in 2025.


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