现在的IGBT模块已经形成不同拓扑、额定电流和电压的半固态、半固态、超小型和半固态封装的IGBT模块系列产品。从4A到1400A，电压等级从600V到1700V, IGBT模块可适用于各种应用。不同的拓扑覆盖每个应用领域。他们的特点是烧结和弹簧或压合触点等关键技术，以及快速和方便的组装。

蕞新的IGBT模块提供了更高的功率密度，并形成了新的基准，特别是在电机驱动和太阳能应用上。可用650V, 950V和1200V的新一代IGBT芯片代表了蕞新的IGBT芯片技术。

新的1200V级IGBT几乎可以说是专门为满足电机驱动应用的要求而设计的。该级别IGBT模块具有明显较低的前向电压降Vce,sat，并提供更加优化的开关性能。由于小芯片在相同的额定电流下，更高的额定电流可以适应现有的电源模块包。此外， IGBT因为改进了湿度适应性，进一步提高了恶劣环境条件下的可靠性。

在实际应用中，1200V级IGBT模块还降低了功率损失，增加了蕞大输出功率和功率密度。这大大降低了应用的系统成本。至于电机驱动， IGBT引入传统的驱动拓扑:CIB(转换器-逆变器-制动器)，六包和半桥配置。对于低、中功率驱动器，MiniSKiiP和SEMITOP E1/E2配置是首要选择。对于更高的功率等级IGBT，则可考虑SEMiX 3和SEMiX 6配合。

接下来会有更多的电源模块。

950V的IGBT则比较适合太阳能应用，这一类芯片在设计上充分考虑了较低的开关损失和低的正向压降，能较完善地与复杂扑相结合。

苏州新杰邦电子技术有限公司提供的IGBT模块系列产品是比较齐全的，也比较成熟稳定，大家可参阅其产品介绍。

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