近年来由于金氧半场效晶体管组件的性能逐渐提升，除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数字信号处理的场合上，也有越来越多模拟信号处理的集成电路可以用金氧半场效晶体管来实现，以下分别介绍这些应用。
1、数字电路
数字科技的进步，如微处理器运算性能不断提升，带给深入研发新一代金氧半场效晶体管更多的动力，这也使得金氧半场效晶体管本身的工作速度越来越快，几乎成为各种半导体有源组件中zui快的一种。金氧半场效晶体管在数字信号处理上zui主要的成功来自互补式金属氧化物半导体逻辑电路的发明，这种结构zui大的好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门的切换动作时才有电流通过。互补式金属氧化物半导体逻辑门zui基本的成员是互补式金属氧化物半导体反相器，而所有互补式金属氧化物半导体逻辑门的基本工作都如同反相器一样，同一时间内必定只有一种晶体管（NMOS或是PMOS）处在导通的状态下，另一种必定是截止状态，这使得从电源端到接地端不会有直接导通的路径，大量节省了电流或功率的消耗，也降低了集成电路的发热量。
金氧半场效晶体管在数字电路上应用的另外一大you势是对直流信号而言，金氧半场效晶体管的栅极端阻抗为无限大（等效于开路），也就是理论上不会有电流从金氧半场效晶体管的栅极端流向电路里的接地点，而是完全由电压控制栅极的形式。这让金氧半场效晶体管和他们zui主要的竞争对手BJT相较之下更为省电，而且也更易于驱动。在CMOS逻辑电路里，除了负责驱动芯片外负载（off-chip load）的驱动器外，每1级的逻辑门都只要面对同样是金氧半场效晶体管的栅极，如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下，BJT的逻辑电路（例如zui常见的TTL）就没有这些you势。金氧半场效晶体管的栅极输入电阻无限大对于电路设计工程师而言亦有其他优点，例如较不需考虑逻辑门输出端的负载效应（loading effect）。
2、模拟电路
有一段时间，金氧半场效晶体管并非模拟电路设计工程师的shou选，因为模拟电路设计重视的性能参数，如晶体管的跨导或是电流的驱动力上，金氧半场效晶体管不如BJT来得适合模拟电路的需求。但是随着金氧半场效晶体管技术的不断演进，今日的CMOS技术也已经可以匹配很多模拟电路的规格需求。再加上金氧半场效晶体管因为结构的关系，没有BJT的一些致命缺点，如热破坏（thermal runaway）。另外，金氧半场效晶体管在线性区的压控电阻特性亦可在集成电路里用来取代传统的多晶硅电阻（poly resistor），或是MOS电容本身可以用来取代常用的多晶硅—绝缘体—多晶硅电容（PIP capacitor），甚至在适当的电路控制下可以表现出电感（inductor）的特性，这些好处都是BJT很难提供的。也就是说，金氧半场效晶体管除了扮演原本晶体管的角色外，也可以用来作为模拟电路中大量使用的被动组件（passive device）。这样的优点让采用金氧半场效晶体管实现模拟电路不但可以满足规格上的需求，还可以有效缩小芯片的面积，降低生产成本。
随着半导体制造技术的进步，对于集成更多功能至单一芯片的需求也跟着大幅提升，此时用金氧半场效晶体管设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。为了减少在印刷电路板上使用的集成电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积，很多原本独立的模拟芯片与数字芯片被集成至同一个芯片内。金氧半场效晶体管原本在数字集成电路上就有很大的竞争you势，在模拟集成电路上也大量采用金氧半场效晶体管之后，把这两种不同功能的电路集成起来的困难度也显著的下降。另外像是某些混合信号电路（Mixed-signal circuits），如模拟数字转换器，也得以利用金氧半场效晶体管技术设计出性能更好的产品。