MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
MOS管的防静电使用技巧
一般在MOS管的使用过程中都非常注意防静电破坏。MOSFET的栅极-源极间zui大额定电压约为±20V，如果驱动电压超出这个范围，就很有可能yong久损坏MOSFET，主要是因为MOSFET输入阻抗大特点，电荷不能及时的流走，积聚在门极(G)，就会造成Vgs大于这个±20V的范围，这时候MOSFET就可能损坏。这就是为什么一定不准用手去摸MOSFET的引脚的原因，手上的静电高达千伏，MOSFET一下子就被击穿了。
记住，不要用手拿住MOSFET的腿，不然可很不zhuan业。为了防止MOSFET被静电破坏，大家也是费尽脑汁，除了严格按照规章制度外，带上放电手套，电烙铁接地等等都是必要的。
静电问题往往是MOSFET的薄弱处。在电路设计中应该怎么来保护MOSFET呢?既然Vgs不能大于20V，那我们就可以在G和S之间，加一个20V的稳压管，来防止干扰脉冲或是静电破坏MOSFET。