芯片制作完整过程大致包括：芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个大环节，其中晶片制作过程尤为的复杂。下面图示让我们共同来了解一下晶片制作的过程。

1 从沙子到硅片

从多晶硅到硅片的12个大工艺流程

1）多晶硅
多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
2）晶体生长
3）单晶硅锭
单晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
4）晶体修整和研磨
5）切片
6）边缘倒圆
7）研磨
8）蚀刻（化学抛光）
9）抛光
10）清洁
11）检查
12）包装/运输

2 从硅片到IC

硅片的到IC的处理流程大体分为两步:前端和后端

2.1 前端（FE）工艺

（1）晶圆制备

（2）半导体电路设计

（3）掩模板制备

（4）氧化分层
热氧化 -制造出二氧化硅, 也即场效应管的栅极(gate)
（5）光刻胶涂层

（6）步进曝光

（7）光刻
用紫外线透过掩模板照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆。
（8）蚀刻

蚀刻分为干蚀刻和湿蚀刻：
干蚀刻 -之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的，而是为了离子注入而蚀刻的。现在就要用等离子体把他们洗掉，或者是一些di一步光刻先不需要刻出来的结构，这一步进行蚀刻。
湿蚀刻- 进一步洗掉，但是用的是试剂， 所以叫湿蚀刻—— 以上步骤完成后, 场效应管就已经被做出来啦，但是以上步骤一般都不止做yi次, 很可能需要反反复复的做，以达到要求。

（9）离子注入

在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质, 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管。
（10）气相沉积

化学气相淀积(CVD)，进一步精细处理表面的各种物质。物理气相淀积 (PVD)，类似，而且可以给敏感部件加coating
（12）电镀处理
（13）晶圆测试

2.2 后端（BE）工艺

?固化裸片粘贴浆料，以使其硬化并获得zui佳的机械和电气性能。

?用胶水粘贴的产品要长时间保持温度（通常在125?175?C左右）。

引线键合（Wire Bonding）
模具和引线框架之间的电连接，使用金，铜，铝线。

打标
?在包装上贴上标识，可追溯性和区分标记。
?使用墨水或激光方法标记包装。
?在许多应用中，激光打标是shou选，因为它具有更高的通量和更好的分辨率。

芯片横截面

封装

封装将制造完成晶圆固定，绑定引脚，按照需求去制作成各种不同的封装形式，这就是同种芯片内核可以有不同的封装形式的原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN 等等。这里主要是由用户的应用习惯、应用环境、市场形式等外围因素来决定的。
测试

芯片制造的zui后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。