原装现货FQB3N60CTM on Semiconductor分立半导体

发布时间:2017/12/29 15:50:23

零件编号 FQB3N60CTM-ND

制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

FQB3N60CTM

数据列表 FQB3N60C;

标准包装   800

包装   标准卷带  

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 QFET®

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC

Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10V

Vgs(值) ±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 565pF

Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25V

FET 功能 -

功率耗散(值) 75W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 3.4 欧姆 @ 1.5A,10V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)

封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

文档

PCN 设计/规格 Passivation Material 14/May/2008

深圳一鑫城电子有限公司    

联系人:蔡小姐  朱先生

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