零件编号 FQB3N40TM-ND

制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

FQB3N40TM

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 400V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.5A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5V @ 250μA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC

Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10V

Vgs（值） ±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF

Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 3.13W（Ta），55W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.4 欧姆 @ 1.25A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

深圳一鑫城电子有限公司    

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封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB