供应:晶体管 LND150N8-G

发布时间:2018/8/4 10:45:56

制造商: Microchip

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-89-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 30 mA

Rds On-漏源导通电阻: 1 kOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 0.8 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 1.6 W

通道模式: Depletion

封装: Reel

高度: 1.6 mm  

长度: 4.6 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: FET  

宽度: 2.6 mm  

商标: Microchip Technology  

正向跨导 - 值: 1 mS  

下降时间: 1.3 us  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 0.45 us  

工厂包装数量: 2000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 0.1 us  

典型接通延迟时间: 0.09 us  

单位重量: 52.800 mg


深圳市中杰盛科技有限公司 发布

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