制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 20 A

Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 210 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 280 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

系列: IRFP  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 值: 13 S  

CNHTS: 8541210000  

下降时间: 58 ns  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 59 ns  

工厂包装数量: 500  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541290000  

典型关闭延迟时间: 110 ns  

典型接通延迟时间: 18 ns  

单位重量: 38 g