IRFB33N15DPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Id-连续直流电流:33 A
Rds上漏源导通电阻:56毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:5.5 V
Qg-萘甲酸:60 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:3.8 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
类型:Smps MOSFET
宽度:4.4毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:14 S
下降时间:21 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:38 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:23 ns
典型起始延迟时间:13 ns
零件号别名:IRFB33N15DPBF SP001566470
单位重量:6 g
应用领域
•高频DC-DC转换器
•无铅
好处
•低的栅极到漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容,包括有效的COSS来简化设计,(请参见应用笔记AN1001)
•全面表征雪崩电压和电流

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

33

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

24

IDM

Pulsed Drain Current CD

130

PD @TA = 25°C

Power Dissipation <z

3.8

W

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

170

 

Linear Derating Factor

1.1

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 30

V

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt a>

4.4

V/ns

TJ

Operating Junction and

-55 to + 175

 

°C

TSTG

Storage Temperature Range

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

 

Mounting torqe, 6-32 or M3 screw®

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRFB33N15DPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装