IRFTS8342TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TSOP-6
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：8.2 A
Rds上漏源导通电阻：29毫欧
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：3 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：1.5毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFTS8342TRPBF SP001552394
单位重量：20毫克
应用
有刷电机驱动器应用
有刷电机驱动器应用
BLDC电机驱动器应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器应用
谐振模式电源
或与冗余电源开关
DC / DC和AC / DC转换器
DC / AC逆变器
好处
改进的Gate，雪崩和动态dV / dt坚固性
全面表征的电容和雪崩SOA
增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅，符合RoHS的应用
BLDC电机驱动器应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器应用
谐振模式电源
或与冗余电源开关
DC / DC和AC / DC转换器
DC / AC逆变器
好处
改进的Gate，雪崩和动态dV / dt坚固性
全面表征的电容和雪崩SOA
增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅，符合RoHS
最大绝对额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
173 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
122 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
700 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
230 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
1.5 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw |
10 lbf·in (1.1 N·m) |
|
IRFTS8342TRPBF
IR
TSOP-6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
