IRF2804LPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-262-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续直流电流:280 A
Rds漏源导通电阻:2.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:160 nC
Pd-功率耗散:330 W
封装:Tube
配置:单
高度:9.45毫米
长度:10.2毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.5毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF2804LPBF SP001550958
单位重量:2.387 g
特征
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•175°C工作温度
•快速切换
•重复雪崩允许最大Tjmax
•无铅
描述
这款HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术,

使每个硅面积的导通电阻极低。 此设计的其他

功能是175°C的结温,快速的开关速度和改进的

重复雪崩额定值。 这些功能相结合,使该设计

成为一种非常有效和可靠的设备,可用于多种其他应用。
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

270

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)

190

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)

75

IDM

Pulsed Drain Current CD

1080

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

300

W

 

Linear Derating Factor

2.0

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) Q)

540

mJ

EAS (tested)

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value Cv

1160

IAR

Avalanche Current CD

See Fig.12a,12b,15,16

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy ®

mJ

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF2804LPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-262

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装