IRFTS9342TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TSOP-6
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：4.6 A
Rds上漏源导通电阻：66毫欧
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：1.3 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：3 mm
晶体管类型：1 P通道
宽度：1.5毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFTS9342TRPBF SP001571652
单位重量：20毫克
应用领域
电池供电的直流电动机逆变器MOSFET
系统/负载开关
特征
行业标准TSOP-6封装
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，消费者资格认证
好处
多厂商兼容性
环保
可靠性更高
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
-30 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±20 |
|
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
-5.8 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
-4.6 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
-46 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
2.0 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation |
1.3 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient G) |
––– |
62.5 |
°C/W |
|
Orderable part number |
Package Type |
Standard Pack |
Note |
|
|
Form |
Quantity |
|
||
|
IRFTS9342TRPbF |
TSOP-6 |
Tape and Reel |
3000 |
|
|
VDS |
-30 |
V |
|
VGS max |
±20 |
V |
|
RDS(on) max (@VGS = -10V) |
40 |
mΩ |
|
RDS(on) max (@VGS = -4.5V) |
66 |
mΩ |
|
Qg typ |
12 |
nC |
|
ID (@TA= 25°C) |
-5.8 |
A |
IRFTS9342TRPBF
IR
TSOP-6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
