IRFH5250DTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：25 V
Id-连续直流电流：40 A
Rds漏源导通电阻：1.4毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：39 nC
Pd-功率耗散：3.6 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.83毫米
长度：6 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFH5250DTRPBF SP001577928

应用领域
高频降压转换器的同步MOSFET
特征
低RDSon（<1.4mΩ）
具有低正向电压的肖特基本征二极管
对PCB的低热阻（<0.8°C / W）
已通过100％汞测试
薄型（<0.9毫米）
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，工业资格
好处
降低传导损耗
降低开关损耗
实现更好的散热
可靠性更高
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	25	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
ID @ T_A = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	40	A
ID @ T_A = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	32
ID @ T_mb = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	100®
ID @ T_mb = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	100®
IDM	Pulsed Drain Current CD	400
PD @T_A = 25°C	Power Dissipation @	3.6	W
PD @T_mb = 25°C	Power Dissipation @	156	W
	Linear Derating Factor @	0.029	W/°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

型号/规格

IRFH5250DTRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装