K4T1G164QF-BCE7存储芯片

　　产品型号：K4T1G164QF-BCE7

　　JEDEC标准VDD=1.8V±0.1V电源

　　VDDQ=1.8V±0.1V

　　333MHzfCK用于667Mb/秒/引脚，400MHzfCK用于800Mb/秒/引脚

　　8Banks

　　在中科院

　　可编程CAS延迟:3,4,5,6

　　可编程添加剂y:0,1,2,3,4,5

　　写延迟(WL)=读延迟(RL)-1

　　突发长度:4,8(交错/咬片顺序)

　　可编程顺序/交织突发模式

　　双向差分数据频闪(单端数据频闪是可选特性)

　　片外驱动(OCD)阻抗调整

　　在死亡终止

　　特殊功能的支持

　　-50欧姆ODT

　　-高温自刷新率启用

　　在低于TCASE85℃时平均刷新时间为7.8us，在85℃时平均刷新时间为3.9us<TCASE<95℃

　　所有产品都是无铅，无卤素，符合RoHS

　　关键特性：

　　绝对最大额定参数：

　　电压相对于VSS VDD销:- 1.0 V ~ 2.3 V

　　电压相对于VSS VDDQ销:- 0.5 V ~ 2.3 V

　　电压相对于VSS VDDL销:- 0.5 V ~ 2.3 V

　　电压在任何销相对于VSS: - 0.5 V ~ 2.3 V

　　储存温度:-55 + 100°C

　　注意:

　　1、应力大于“绝对最大额定值”下列出的应力可能对设备造成永久性损坏。这只是一个应力等级和功能操作的

　　在本规范的操作部分中指出的上述或以上任何其他条件下的设备都不适用。长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响可靠性。

　　2、存储温度是DRAM中心/顶部的表壳表面温度。测量条件请参照JESD51-2标准。

　　3、VDD和VDDQ必须始终在300mV内;并且VREF必须不大于0.6 x VDDQ。当VDD、VDDQ和VDDL小于500mV时，VREF可以等于或小于300mV。

　　4、任何输入或I/O上的电压不得超过VDDQ上的电压。