PTP40N20 TO-220电源MOSFET

地区:广东 深圳
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200V N-Channel MOSFET
General Features
Proprietary New Planar Technology
RDS(ON),typ.=50m Ω@VGS=10V
Low Gate Charge Minimize Switching Loss
Fast Recovery Body Diode
Applications
DC-DC Converters
DC-AC Inverters for UPS
SMPS and Motor controls
Ordering Information
Part Number
Package
Brand
PTP40N20
TO-220
Absolute Maximum Ratings
TC=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
PTP40N20
Unit
VDSS
Drain-to-Source Voltage[1]
200
V
VGSS
Gate-to-Source Voltage
±20
ID
Continuous Drain Current
40
A
ID @ Tc =100
Continuous Drain Current @ Tc=100
Figure 3
IDM
Pulsed Drain Current at VGS=10V[2]
Figure 6
EAS
Single Pulse Avalanche Energy
1200
mJ
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt[3]
5.0
V/ns
PD
Power Dissipation
125
W
Derating Factor above 25
1.0
W/
TL
TPAK
Maximum Temperature for Soldering
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10
seconds, Package Body for 10 seconds
300
260
TJ& TSTG
Operating and Storage Temperature Range
-55 to 150
Caution: Stresses greater than those listed in the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
PTP40N20
Unit
RθJC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1.0
/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
62
BVDSS
RDS(ON),typ.
ID
200V
50mΩ
40A
GD
S
TO-220
Packag


型号/规格

PTP40N20

品牌/商标

PIP

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

VDSS

200V

VGSS

±20V

ID

40A

EAS

1200MJ