NCE3035Q DFN3*3 电源MOSFET

地区:广东 深圳
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NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE3035Q uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
VDS =30V,ID =35A
RDS(ON) < 7.0m @ VGS=10V
RDS(ON) < 11m @ VGS=4.5V
High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized avalanche voltage and current
Good stability and uniformity with high EAS
Excellent package for good heat dissipation
Special process technology for high ESD capability
Application
Secondary side synchronous rectifier
High side switch in POL DC/DC converter
100% UIS TESTED!
Schematic diagram 

型号/规格

NCE3035Q

品牌/商标

NCE

封装形式

DFN3*3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

VDS

30V

VGS

±20V

ID

35A

IDM

120A