IGBT芯片缺货或持续至明年上半年

时间:2023-03-23
    近期有关IGBT缺货,价格翻涨的消息,不时被爆出。从前年缺芯潮以来,IGBT作为功率半导体的主要产品之一就呈现供货紧缺的状态,一直延续至今。甚至当其他大多数芯片产品因供需逆转库存高起之际,IGBT的供应状况依然没有好转。
    据富昌电子2023年2月17日发布的《2023 Q1芯片市场行情报告》数据显示,意法半导体、Microsemi、英飞凌等功率半导体大厂的IGBT交货期与2022年第四季度的交期基本保持一致,最长为54周,依旧紧张。据报道,太阳能电池厂商茂迪董事长叶正贤在谈到IGBT缺货情况时表示:“不是价格多高的问题,而是根本买不到。”
    IGBT 是由双极型三极管 (BJT) 和 MOSFET 组成的复合式功率半导体器件,兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 BJT 的低导通电阻的优点,输入阻抗、高耐压、低导通压降,非常适合应用于直流电压为 600V 及以上的变流系统,如新能源汽车、变频器、开关电源、照明电路、交流电机等。
    芯谋研究总监李国强分析指出:“本轮IGBT缺货的主要原因是随着新能源车兴起,对高电压需求大增,IGBT成为产业发展焦点。”据悉,一辆电动车使用的IGBT数量高达上百颗,是传统燃油车的七到十倍。与此同时,车用IGBT厂商如英飞凌、安森美等扩产并不及时,不足以市场满足增加的需求。此外,在光伏发电、工业逆变器等领域,IGBT的使用量也持续攀高。李国强预计本轮IGBT缺货仍将持续一段时间,至少到明年上半年供应情况仍然不断出现逆转。
    随着IGBT供需持续紧张,有关宽禁带半导体材料碳化硅替代硅基IGBT的话题也在不断升温。TrendForce集邦咨询预测,至2026年,碳化硅功率器件市场产值可望达到53.3亿美元。主流应用仍倚重电动汽车及再生能源,电动汽车产值可达39.8亿美元,年复合增长率约38%;再生能源达4.1亿美元,年复合增长率约19%。
    对此,英飞凌科技高级副总裁、汽车电子事业部大中华区负责人曹彦飞表示,碳化硅发展到现在,尤其在高压比如800V的主逆变器上面有越来越多的客户在布局、立项。硅基器件如IGBT将与碳化硅器件长期并存。当前硅基器件的占比仍然较高,但是碳化硅的中长期发展,仍然被非常看好。
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