MDT发布一款高灵敏度卓越性能的Z轴TMR传感器

　　导读：近日，江苏多维科技有限公司（以下简称“MDT”）宣布推出了一款具备高灵敏度和卓越性能的Z轴TMR传感器。该新器件可对穿过传感器表面的磁场垂直分量进行测量，在感应方向上与霍尔效应传感器相兼容。

　　近日，江苏多维科技有限公司（以下简称“MDT”）宣布推出了一款具备高灵敏度和卓越性能的Z轴TMR传感器。该新器件可对穿过传感器表面的磁场垂直分量进行测量，在感应方向上与霍尔效应传感器相兼容。

　　一直以来，MDT都为精通隧道磁阻技术的磁传感器供应商，其此次推出的Z轴TMR传感器克服了Z轴TMR传感器开发过程中必然会遇到的艰难的工艺和设计挑战，是磁传感器技术进步中的一项重大突破。并且Z轴TMR传感器也具备了霍尔效应传感器所不具备的独特性能优势。

　　性能优势：

　　（1）可定制超过1mV/V/Oe的高灵敏度；

　　（2）电阻值可以在很宽的范围内轻易调整到高达数兆欧姆，可满足从高速度到超低功耗的各种应用要求；

　　（3）低噪声谱密度和宽频带；

　　（4）在零下40至零上125摄氏度之间展现出卓越的温度稳定性；

　　（5）可整合进多轴电子罗盘、以及包括电流传感器的定制设计，或作为通用线性磁场传感的独立器件。

　　归结起来，新型的Z轴TMR传感器为多轴电子罗盘、电流传感器和通用线性磁场传感提供了新的选项，并拥有了霍尔效应传感器所不具备的高灵敏度、低噪声、超低功耗和卓越的温度稳定性等传感器的优点。

　　“我们克服了Z轴TMR传感器开发过程中必然会遇到的艰难的工艺和设计挑战，同时保留了我们现有的平面感应TMR传感器的优异性能。MDT对Z轴TMR传感器的发明是磁传感器技术进步中的一项重大突破，TMR传感器并享受诸多霍尔效应传感器无法提供的TMR技术的优点。”多维科技董事长兼执行官薛松生博士说道“我们的客户将可以沿用为霍尔效应方案设计的机械结构或磁铁，同时采用MDT的Z轴TMR传感器并享受诸多霍尔效应传感器无法提供的TMR技术的优点。我们期望Z轴TMR传感器可以将MDT的TMR技术优势，包括更好的性能、更低的功耗和更高的可用性，带到目前被霍尔效应传感器占据了主导地位的更广阔的磁场传感细分市场中去。”