防静电控制器（输出开关量信号）

型号含义：KD-SGC

     KD-SGC  产品名称 （底装  防溢流防静电控制器）

      注明：I型（分体式）；II型（一体式）

 产品简介： 

         适用于爆炸性环境1区、2区；
      适用于IIA、IIB、IIC级爆炸性环境；
      适用于温度组别为T1～6的环境；
      适用于石油采炼、储运、化工、港口石化、军工及军工设施等爆炸性危险环境。  

产品特点：
      

    ▲ 系统应用数字电路设计，性能稳定，抗干扰能力强；
      ▲ 外壳采用铝合金高压铸造成型，表面经加工后高压静电喷塑；
      ▲ 专为底部付油系统一体式设计
      ▲ 本系列产品为复合型结构，主腔采用隔爆型结构，接线腔采用增安结构
      ▲ 本安型指示灯模块，能在不同的状态下显示不同的颜色并报警提示；
      ▲ 24V DC与220V Ac供电电源模式可选，常开与常闭信号输出方式并存；
      ▲ 采用高亮度LED光源，进口电子元件，具有低能耗、长寿命等特点；
      ▲ 可根据用户的要求特殊制造； 进线可采用钢管或防爆扰性管布线 
      ▲ 防护等级高，可直接用于户外安装，进线可采用钢管或防爆扰性管布线；
      ▲ 兼容国外Scully、Civacon、Liquip、Dixon等品牌的防爆传感器；
      ▲ 插头API标准设计，兼容国外符合API的车载插座；

技术参数：

     ▲ 防爆等级：Ex d[ia] II B T6 Gb
     ▲ 防护等级：IP65
     ▲ 检测电阻：＜55Ω
     ▲ 报警音量：＞90dB（ 30cm直线距离测量）
     ▲ 工作电流：<200mA
     ▲ 工作电压：220V AC
     ▲ 响应时间：< 1s
     ▲ 工作温度：- 40℃ ～+ 60℃
     ▲ 输出信号：1.0A，24V DC或0.5A，125V AC
     ▲ 泵阀控制信号（需另配）：5A，30V DC或5A，250V AC
     ▲ 输入信号：符合API RP1004、EN13922标准。

设备构成：

     ▲ 主控制器
     ▲ BBJ-B 声光报警器
     ▲ DPC 插头电缆组件
     ▲ DLS-B归位插座
     ▲ 接地线

订货须知：
            

      确定控制箱的进线电压，确定是24V DC 或220V AC;
     确定液体的的介质，方便配探杆;
     确定安装场所。

 使用示意图：

     为进一步提高灌装臂操作人员的安全，使操作人员可以停留在地面上，而不是站在槽车顶上操作，从而避免操作人员跌落的危险，并且进一步缩短了总体灌装时间。底部灌装不容易造成储槽内的湍流，减少了产生静电的危险。底部灌装减少了危害环境的油气产生，而且更容易配合油气回收装置将灌装过程中排出的油气完全回收。速度是底部灌装最重要的优势，因为这种方式能更快地装满储罐，而且可以同时对多舱进行灌装。与顶部灌装装车台相比，底部灌装装车台比较简单，安装费用也较低。同时因能在较短时间内安全地灌装更多物料，且能减少跑溢和油气损失，从而为客户节约了更多成本。故而我们设计出了专供底装的油罐车或储油仓使用的控制器DYJ-X。
 

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以下为推广文章与本公司产品无关
        元器件的正确使用
        国内外大量的故障统计表明.在电子元器件的失效中，由于没有正确使用而造成的失效占113左右，所以“正确使用”已经成为影响电子元器件、设备、系统可靠性的重要间题。
        在使用中最主要的问题有降额使用、热设计、环境保护设计、抗辐射、防静电损伤、防寄生藕一合、防干扰、防操作过程中的损伤以及存贮和保昔等问题。有关降额设计、热设计的问题将在可靠性设计方法中专题介绍。在此仅介绍其他使用中应注意的问题。
        1.抗辐射问题元器件当受到各种射线的辐照、高能中子和，射线的损伤，将会使整机系统失效.故在航天器中或在核爆炸环境中使用的元器件必须考虑辐射的影响。目前，国内外已陆续研翩了一些抗辐射加固的半导体器件，在需要时可以采用此类元器件。
        辐射加固保证(RNA)的等级和要求:射加固等级主要由抗总剂量和抗中子注入里的水平来决定的。应注意的是辐射加固保证等级主要反映半导体分立器件杭空间天然辐射的能力，而一般不反映抗核辐射的能力。
        对某些微电路，当选用抗总剂量辐射强度足够高的品种不可行或不合理时、则应采用局部屏蔽措施，以减弱它们所承受的总Mal射。
        局部屏蔽的形式可以是粘贴或喷涂于徽电路外表面的辐射防护层，也可以采用辐射防护罩，
        2.防静电损伤半导体器件在制造、存贮、运愉及装配过程中，由于仪器设备、材料及操作者的相对运动，均可能因摩擦而产生几千伏的静电电压。当器件与这些带电体接触时，带电体就会通过器件“引出腿”放电，引起器件失效。不仅Mos器件对静电放电损伤很敏感，在双极器件和混合微电路中也会因静电放电而造成严重后果。
        静电放电所造成的损伤往往具有隐蔽性和发展性，即静电放电造成的损伤有时难以检查出来;经过一定时间之后可能导致器件完全失效，所以防静电损伤更显得重要。
        为解决此问题，在设计时应在Mos电路的每个输入端都加
上防静电损伤的保护网络，保护网络可用电阻器、电阻器加电容器或电阻器加位器(二极管、瞬变电压抑制二极管)等成。在生产、使用过程中，应对各种可能产生静电的物体和人提供放电通路;应穿戴不易产生静电的防静电工作服和手套，并戴具有良好接地的防静电的腕带;避免使用产生静电的材料;通过提高环
境的相对湿度(环境相对湿度在40%以上)或进行表面处理来增加表面电导率;必要时在工作环境安装空气电离器;试验室设
置有接地装置的防静电地板、工作台和工作椅，其接地应采用挂地电阻小于2口的专用地线;装运过程中所有器件必须装人包装盒内;不要随意拆除电路的导电或抗静电包装等口
        3.防瞬态过载设备在正常工作或故障时，可能发生某些电应力的瞬态过载，如起动或断开时的浪涌电压、浪涌电流、感性负载反电动势等。它将使半导体分立器件、微电路受到损伤。为防止瞬态过载造成的损伤，应采取下列措施:
        (1)在选择元器件时，选择过载能力满足要求的元器件;
        (2)在设计线路时，对已知的瞬态源，采取瞬态抑制措施口例如对感性_负载的反电动势可采取与感性负载并联的电阻与二极管串联网络或瞬变电压抑制二极管来加以抑制;
        (3)对元器件本身采取瞬态过载防护措施口例如安装由阻容元件或籍位器件构成的瞬态抑制网络，在系统中设置各种保护电路，诸如过电流保护、过载保护、短路保护、过电压保护等电路，一旦出现过大的电压、电流，立即停止系统工作。
        4.防寄生祸合具有放大功能的半导体器件组成的电路，在高频或超高频工作时，由于寄生祸合可能产生寄生振荡，还可能导致数字电路误码，因此必须防止寄生藕合。防寄生辆合有防电源内阻藕合和防布线寄生藕合，可根据具体情况采用。
        (1)防电源内阻藕合:电源内阻过大有可能造成半导体器件组成的放大电路产生振荡。必须采用防电源内阻拐合措施，主要措施是减小电源愉出阻抗，装设去藕电容器.
        去藕电容器的容，量应根据电w负载电流交流分的大小确定。通常电路的速度越高，它从电源所取的电流脉冲分量越大;
        去辆电容器的品种应选择等效串联电阻和等效申联电感小的电容器，一般选择瓷介电容器中的独石电容器，但需注意其低压失效的问题;
        去藕电容器的安装位置应尽量靠近半导体器件组成的放大电路的电源引线，以减少连线电感对去祸效果的影响;
        还应充分考虑去鹅电容器容盆增大带来的电源启动过冲电流增大的副作用。因此，必须避免不合理地增大去辆电容器容量，必要时采取抑制电源启动过冲电流的措施，例如:使电源具有“软启动”或采用电阻器、电感器和去祸电容器组成的“T”形滤波器等。
        (2)防布线寄生辆合:布线寄生辆合产生的原因有布线电阻、电容、电感的自辐合，也有布线电阻、电容、电感的互辆合.
         5.防干扰防干扰属于电磁兼容性的范畴。自然空间随时都存在电场和磁场，电子、电气设备自身工作时产生的电磁干扰也同时存在。为了保证系统的性能不受电磁环境的影响，要求系统具有抑制各种电磁于扰的能力，同时，也要求系统不要对其他设备产生干扰。
        所谓电磁兼容性(EMC)，是指电子、电气设备在一定的电磁环境中，保持其固有性能和完成规定功能的能力。要使产品具有电磁兼容性，应根据系统抗电磁干扰的要求，在分析了干扰源、于扰传递途径以及被干扰对象特性的墓础上，采取有效措施，抑制干扰，消除于扰拐合。
        于扰源包括高压设备、大电流设备、电压或电流突变设备(如晶闸管变流装置)、放电(静电、电晕、闪电)等。
        于扰传递的途径有传导和辐射两种，辐射干扰的媒介包括低颇电场、低颇磁场和射频电磁场。
        对于不同的被干扰对象，干扰可能导致出现误码、模拟量误差增大、信噪比降低等。