供应*D/TVS管 *D11B5.0ST5G ON安森美 0201静电保护

日前，安森美半导体(ON Semiconductor)推出两款采用*新的*小型0201双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封装的静电放电(*D)保护器件。这DSN型封装尺寸*为   0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，令工作的硅片*百地利用封装面积，与采用塑模封装的产品相比，提供显著的性能/电路板面积比优势。

安森美半导体采用这新型封装的*批产品是*D11N5.0ST5G和*D11B5.0ST5G，扩展了公司*片外*D保护产品系列。安森美半导体将*D保护产品系列以业界*小的封装面市，实力又进一步。这*新*D产品系列*适用于保护如手机、MP3播放器、个人数字助理(PDA)和数码相机等*之讲究电路板空间的便携应用中的数据线路。

*D11N和*D11B是安森美半导体下一代的专有*D保护技术，提供骄人的钳位电压。安森美半导体结合业界的钳位电压及*小的封装，提供*的*D保护选择。这些产品减少的尺寸及双向单线的设计提供*灵活及简单的布线，适用于种种空间受限的

应用。新的0201 DSN-2封装尺寸*为0.6 mm x 0.3 mm x 0.3mm，与常见的SOD-923(也称0402)封装相比，节省3倍的电路板空间。

*D11N这0.6皮法(pF)器件，利用安森美半导体的*集成*D技术，*钳位性能，同时维持低电容。低电容值*这器件几乎不影响*数据线路的信号完整性，使其*适用于U* 2.0和高清多媒体接口(HDMI)等应用。此外，*D11N在达3千兆赫(GHz)频率时维持低于0.5分贝(dB)的*损耗，并在不同电压和频率范围内维持*佳的电容线性度，故适合保护高频天线线路，而影响*小。而*D11B这15 pF器件，将安森美半导体的低钳位电压*D保护技术扩展至新的0201 DSN-2封装，为需要以有限空间设计紧凑电路板的通用及低速数据线路提供保护选择。

两款新的*D产品都在数以纳秒(ns)计的时间内，钳位*合IEC61000-4-2接触放电标准的8千伏(kV)输入*D波形至不到10伏(V)。这钳位性能业界*，连*敏感的集成电路也能保护到。

安森美半导体保护及控制产品部总经理兼总监Gary Straker说：“由于客户不斷需要在与日缩小的产品设计中**D保护性能，安森美半导体遂推出采用节省空间的0201 DSN-2封装的*型保护器件。发挥安森美半导体的*保护技术，推出*性封装设计，是公司贯彻开发针对业界与日讲究保护需要的方案之又一明证。”

标准包装：

类别：过电压，电流，温度装置

家庭：TVS - 二*管

系列：-

电压 - 反向隔离（标准值）：5V

电压 - 击穿：5.8V

功率（瓦特）：-

电*标记：双向

安装类型：表面贴装

封装/外壳：2-XFDFN

供应商设备封装：2-DSN（0.60x0.30）

包装：带卷 (TR)