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为了克服传统硅TVS二*管的局限,使用*性的工艺技术,将*电容PIN二*管和大功率TVS二*管集成在单个裸片上,能够用作*片外*D保护解决方案。这集成型*D保护技术平台既保留了传统硅TVS二*管技术的卓越钳位和低泄漏性能,又将电容从 50 pF大幅降*0.5 pF。0.5 pF的总电容使*D
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