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浪拓电子技术为客户提供器件级到系统级的*的*雷及过压过流解决方案,
是目前国内*雷技术领域****的供应商。
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*D(静电放电)保护器件是为*数*输应用的I/O端口保护设计的器件。P*D保护器件可避免电子设备中的敏感电路受到*D的影响。 Raychem P*D保护器件可提供*低的电容,与其他同类元件相比具有更优异的传输线脉冲(TLP)测试,以及IEC61000-4-2测试能力,尤其是在多采样数(*1000)之后。该器件可比传统的聚合物*D器件提供更低的触发电压和更低的箝位电压,进而*对敏感电子元件的保护。
产品系列
P*D0402
P*D0603-140
P*D1206Q-140
RoHS/ELV 版本
*型号*合RoHS/ELV标准
*大工作电压VDC
0V
14V
典型触发电压1 VT(IEC)
150V
350V
475V
典型箝位电压1&2 VT(IEC)
25V
30V
60V
典型电容 3&4 @ 1MHz, 1Vrms (Cp)
0.25 pF
0.25pF
典型漏电流 I L(TYP)
<0.001 µA
*大漏电流 @ Max VDC
0.01µA
0.01 µA
形状尺寸 (英寸) :
0402
0603
1206
注解:1. 在IEC 61000-4-2 的四级脉冲条件下测试 注解:2.脉冲开始后30ns测试 *合RoHS标准
Raychem
供应ROHMICP保护器ICP-N70
供应保险管27186SBM5.6
供应保险丝座
供应FRN-R-60
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