供应半导体磁敏传感器 MRS-F-21
地区：广东 深圳
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无
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产品属性
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半导体磁敏传感器 MRS-F-21
|
|
用途 |
*大额定值 (Ta=25℃)
|
项目 |
记号 |
额定值 |
单位 |
|
*大外加电压 |
Va max |
5.5 |
V |
|
*缘耐压 |
Vi |
100 |
V |
|
容许损失 |
PD |
44 |
mW |
|
工作环境温度 |
Ｔopg |
-30～+85 |
℃ |
|
保存环境温度 |
Ｔstg |
-30～+85 |
℃ |
电力的特性 (Ta=25℃)
|
项目 |
记号 |
条件 |
min. |
T*. |
Max. |
单位 |
|
输出电压 |
V0 |
Va=5V *1 |
0.16 |
--- |
0.42 |
mVrms |
|
电*电阻 |
R(MR1+MR2) |
I=1mA |
700 |
--- |
4500 |
Ω |
|
中点对称性 |
d |
I=1mA *2 |
--- |
--- |
30 |
% |
|
内部杂音 |
VNW |
Va=5V |
--- |
--- |
50 |
μVp-p |
|
压电杂音电压 |
VNP |
Va=5V, press.=10g |
--- |
--- |
300 |
μVp-p |
|
检测面磁通密度 |
B |
--- |
--- |
0.075 |
--- |
T (S Pole) |
|
检测宽度 |
W |
--- |
--- |
--- |
3 |
mm |
*1. 使用在φ0.1mm 的 导线*过 50Hz 100mA(rms) 电流而产生磁通量.
*2. d=|MR1-MR2|/MR1(或者 MR2)×100
半导体磁敏传感器 MRS-F-21
HONEYWELL（霍尼韦尔）
