MDD1502RH 30V 45.7A 8.5毫欧 代用IRLR3103 AP60T03H

地区:广东 深圳
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MDD1502RH TO252(DPAK) 编带盘装 3000/盘 年份为13年全新

参数:30V 45.7A  8.5毫欧 N沟道

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深圳市浩吉发电子有限公司 主营MOS管,可根据参数提供型号

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封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

MDD1502RH

材料

N-FET硅N沟道

用途

UNI/一般用途

品牌/商标

MAGNACHIP

沟道类型

N沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型